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    電子裝備產業

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    依托半導體高端設備研制,通過半導體高端設備、真空技術兩個板塊,建立電子裝備的產業化經營格局
    •  高壓VGF單晶爐

    高壓VGF單晶爐

    主要應用于半導體磷化銦、磷化鎵等材料的單晶生長。是制造II-VI族和III-V族化合物半導體材料的關鍵設備

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    高壓VGF單晶爐是制備II一VI族和III一V族化合物半導體材料的關鍵設備。主要應用于半導體磷化銦(nP)、磷化鎵(GaP)等材料的單晶生長。


    高壓VGF單晶爐設備特點

    ■  高壓爐體采用無縫碳鋼鋼管制造,品牌壓力容器資質廠家設計生產,可承受5倍工藝壓力,并有減壓閥,在超過6MPa時自動降壓,降壓口氣體做隔氧處理。

    ■  爐體底部有水冷降溫結構,可以增強坩堝支撐結構的導熱,利于晶體生長。

    ■  爐體設備有吸震機構,可以有效把電阻絲通大電流時的震動有效減除,有利于層錯能弱的晶體生長。

    ■  爐體支架裝有手動調節系統,方便裝取料時對爐體的調節。

    ■  增壓系統采用進口增壓泵、壓力平衡控制系統、氮氣瓶組成。精度高,反應靈敏,可編程工藝增壓與減壓。并設有壓力極限報警。

    ■  高精度溫度控制系統,提升工藝成品率。


    技術參數

    爐體結構高壓立式單管狀腔體
    適用單晶尺寸Ф3″(可定制)
    加熱溫區段數6段(可定制)
    顯示及監控段數6段
    控制方式微機控制
    爐體最高工作溫度1250℃
    溫度穩定性優于0.2℃
    生長過程降溫超調優于0.2℃
    溫度顯示精度0.1℃
    溫度控制精度±0.1℃
    相鄰控溫熱偶可設定溫度差0-3℃/cm
    壓力控制PID閉環控制
    使用壓力3MPa
    腔體最高耐壓15MPa
    增壓泵壓力范圍0-7MPa