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    電子裝備產業

    Products display

    依托半導體高端設備研制,通過半導體高端設備、真空技術兩個板塊,建立電子裝備的產業化經營格局
    •  SIC單晶爐

    SIC單晶爐

    主要應用于碳化硅、氮化鋁單晶生長,6、8英寸SIC晶體生長

    60秒人工響應

    30分鐘內給予技術咨詢答復

    24小時免費提供方案設計

     

    SIC單晶爐是針對碳化硅單晶生長專用工藝設備,也可用于氮化鋁的單晶生長工藝。


    SIC單晶爐設備特點

    ■  設備采用高頻電源感應加熱、水冷感應線圈,水冷箱及高溫密封,并具備對生長室內的高真空度進行檢測、溫度的精確測量、加熱過程的程序化控制,石墨坩堝與感應加熱線圈之間相對位置的調節以及Ar等多種氣體的定量定壓供給等功能,使設備在冷卻、隔熱和抗電磁輻射等方面有著非常好的效果;

    ■  設備為晶體生長提供一個理想的工藝環境條件,保證SiC晶體的穩定生長;

    ■  設備可以有效的避免加熱裝置對晶體的污染,同時也相對增加了工作空間。


    技術參數

    加熱溫度

    最高溫度2500°C

    高周波電源50kw,7-15KHz
    溫度測量利用上下紅外放射溫度計測溫
    控制方式線圈電流控制(ACC)、放射溫度計控制(ATC) 
    溫度控制精度手動方式
    氣氛士0.1%FS(ACC)、2500 °C士5 °C (ATC)
    極限圧力真空、Ar 、N2 
    圧力控制范圍

    1.33x 10-3Pa (常溫空妒時)

    (133~101) x105 Pa士0.1%FS,

    低圧側 1.0~100.0士0.1 Torr,

    高圧側100~760士5 Torr