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    磐石創新廠家供應沉積Al2O3,TeO2,Ga2O3,Ta2O5, Si O2,Er2O3薄膜ALD原子層沉積設備

    發布時間:2021-7-8 15:11:32      點擊次數:171

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    原子層沉積技術以精準控制薄層厚度,均勻性,保型性而著稱,廣泛應用于集成電路(IC)行業,它使得電子器件持續微型化成為可能,逐漸成為了微電子器件制造,半導體領域的必要技術。例如用于制備晶體管柵堆垛、刻蝕終止層。

    緊湊型原子層沉積系統,系統為全自動的安全互鎖設計,并提供了強大的靈活性,可以用于沉積多種薄膜。(可沉積氧的化物: HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等;氮化物:TiN,Si3N4等;)
    應用領域包含半導體、光伏、MEMS等。帶有加熱腔壁及屏蔽層,非常方便腔體的清潔。該系統擁有一個載氣艙包含4個50ml的加熱源,用于前驅體以及反應物,同時帶有N2作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。

    前可用ALD原子層沉積設備沉積的薄膜有:

    1) 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...

    2) 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...

    3) 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...

    4) 金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...

    5) 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...

    6) 復合結構材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...

    7) 硫化物 : ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

    可沉積的種類分為:

    單 質:Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe… 

    氮化物:TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN … 

    氧化物:TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2…

    其它化合物:GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6…


    ALD原子層沉積設備特點

    · 不均勻性低于1%;
    · 陽極氧化鋁腔體;
    · 小反應腔體容積確保快速的循環時間并提高質量;
    · 最大可支持4英寸的基片;
    · 最多支持4路50cc/100cc前驅體源;
    · 高深寬比結構的保形生長。

     

    技術參數

    設備尺寸:800X800X495mm    

    4英寸及以下兼容基片    

    3D 復雜表面襯底    

    多孔,通孔,高深寬比(HAR)樣品    

    樣品加熱50-260℃,精度±1℃    

    前驅體及管路:液態、固態、氣態,加熱溫度室溫~180℃    

    標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝

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